[发明专利]一种GOA阵列基板的制作方法及GOA阵列基板

摘要

本发明提供一种GOA阵列基板的制作方法及GOA阵列基板，该GOA阵列基板包括：衬底基板；第一半导体有源层；第一绝缘层；第一栅极与第二栅极；第二绝缘层；第二半导体有源层；第一源极、第一漏极、第二源极与第二漏极；第三绝缘层；驱动电极与像素电极。本发明有效地降低了GOA液晶显示面板的边框宽度，实现窄边框的设计。

主权项

一种GOA阵列基板，包括周边的GOA区域与中部的显示区域，其特征在于，其包括：衬底基板；第一半导体有源层，形成于所述衬底基板的所述GOA区域；第一绝缘层，形成于所述第一半导体有源层上，并覆盖整个所述衬底基板；第一栅极与第二栅极，形成于所述第一绝缘层上，所述第一栅极位于所述GOA区域的与所述第一半导体有源层对应处，所述第二栅极位于所述显示区域；第二绝缘层，形成于所述第一栅极与所述第二栅极上，并覆盖整个所述第一绝缘层；第二半导体有源层，形成于所述第二绝缘层上，其位于所述显示区域；第一源极、第一漏极、第二源极与第二漏极，形成于所述第二绝缘层上，其中所述第一源极与所述第一漏极分别穿过所述第一绝缘的过孔与所述第二绝缘层与所述第一半导体有源层两端相接触，所述第二源极与所述第二漏极分别与所述第二半导体有源层两端相接触；第三绝缘层，形成于所述第二半导体有源层、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极与所述第二漏极上，并覆盖整个所述第二绝缘层；驱动电极与像素电极，形成于所述第三绝缘层上，分别位于所述GOA区域与所述显示电路区域，并分别与所述第一漏极及所述第二漏极相接触；其中，所述第一半导体有源层的电子迁移率高于所述第二半导体有源层的电子迁移率。