[发明专利]一种相变存储单元热阻与热容的获取方法在审
| 申请号： | 201610880611.9 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN106503310A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李震;袁艺;周伟;何强;缪向水;戴一帆 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储单元热阻与热容的获取方法，包括通过在相变存储单元上施加脉冲序列，获得不同非晶化率的相变存储单元的电阻和热积累温度；根据电阻获得与各个非晶化率的相变存储单元分别对应的非晶化区域宽度和晶化区域宽度；根据非晶化区域宽度和晶化区域宽度计算与各个非晶化率的相变存储单元分别对应的热阻；对热积累温度进行拟合，获得施加第i个脉冲后与之对应的相变存储单元的热积累温度的对数拟合曲线；根据所述对数拟合曲线获得在施加第i个脉冲序列后，与之对应的相变存储单元热扩散时相变存储单元的时间常数；根据热阻和时间常数获得施加第i个脉冲序列后相变存储单元热容。本发明能够有效地获取相变存储单元的热容和热阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储 单元 热容 获取 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储单元热阻与热容的获取方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)测量不同非晶化率下相变存储单元的热阻：(1.1)通过在相变存储单元上施加脉冲序列，获得不同非晶化率的相变存储单元的电阻和热积累温度；(1.2)根据电阻获得与各个非晶化率的相变存储单元分别对应的非晶化区域宽度和晶化区域宽度；(1.3)根据非晶化区域宽度和晶化区域宽度计算与各个非晶化率的相变存储单元分别对应的热阻；(2)测量相变存储单元热容：(2.1)对所述热积累温度进行拟合，获得施加第i个脉冲后与之对应的相变存储单元的热积累温度的对数拟合曲线；(2.2)根据所述对数拟合曲线获得在施加第i个脉冲序列后，与之对应的相变存储单元热扩散时相变存储单元的时间常数；(2.3)根据热阻和时间常数获得施加第i个脉冲序列后相变存储单元热容。
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