[发明专利]一种外延生长方法及掩埋异质结构的外延层

摘要

本发明涉及一种外延生长方法及掩埋异质结构的外延层，包括以下步骤：S1、生长n/p/n/p InP或InGaAsP层的部分或全部；S2、通过掩埋、干法或湿法刻蚀所需要外延生长的形状模型；S3、在形状模型内生长外延结构中所有含Al的材料。本发明先形成n/p/n/p结构的部分或全部，再刻蚀出需要生长的外延层形状，然后在其中生长外延层。利用本发明的方法，可有效结合AlGaInAs/InP材料和BH技术的优点，生长出一种高效激光器外延结构，达到避免Al氧化，降低俄歇复合，带间吸收，改善器件高温特性的作用，同时减小激光器阈值电流密度，提高有源层材料的特征温度以及有源区量子阱的外量子效率、内量子效率和转换效率。

主权项

1.一种外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、生长n/p/n/pInP层的部分或全部；所述步骤S1具体包括，在InP衬底上依次生长Buffer层、第一p‑InP层、n‑InP层；所述Buffer层为n型InP缓冲层；S2、通过掩埋、干法或湿法刻蚀所需要外延生长的形状模型；所述步骤S2具体包括，在n‑InP层上生长一层SiO₂掩埋层，并通过光刻和干法或湿法刻蚀在Buffer层、第一p‑InP层、n‑InP层和SiO₂掩埋层刻蚀凹状模型，刻蚀后生长区域竖直方向截面呈凹形；S3、在形状模型内生长外延结构中所有含AL的材料；所述步骤S3具体包括，在形状模型区域内依次生长下波导层、MQW层、上波导层、第二p‑InP层和光栅层；除去SiO₂掩埋层，并生长接触层，接触层包括p型掺杂InP和InGaAs，所述光栅层由InGaAsP材料组成，MQW层为量子阱Al_x1Ga_y1In_{(1‑x1‑y1)}As与量子垒Al_x2Ga_y2In_{(1‑x2‑y2)}As交替生长而成，其中，x1<x2。