[发明专利]发光二极管晶圆及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201610876735.X 申请日: 2016-09-30
公开(公告)号: CN106299073B 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 徐慧文;于正国;李起鸣 申请(专利权)人: 映瑞光电科技(上海)有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/00;H01L25/075
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 高静;吴敏
地址: 201306 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种发光二极管晶圆及其形成方法,本发明技术方案通过在所述操作衬底底面上形成第一电极层;在切割道相交位置处形成贯穿所述操作衬底的第一通孔并在隔离层露出的第一通孔侧壁上形成导电材料,从而形成第二电极层。本发明技术方案中,可以直接通过所述第一电极层和所述第二电极层实现所述第一半导体层和所述第二半导体层与外部电路的连接,所以所述发光二极管晶圆无需经过划片工艺即可使用,从而简化了工艺步骤,降低了制造成本。
搜索关键词: 发光二极管 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种发光二极管晶圆的形成方法,其特征在于,包括:提供生长衬底;在所述生长衬底上形成多个管芯,所述管芯包括第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型不同;在所述管芯上形成导电层,所述导电层与所述第一半导体层电连接,所述导电层与所述管芯用于形成管芯结构;提供操作衬底,包括功能面以及与所述功能面相对的底面;使所述导电层与所述功能面相对贴合;去除所述生长衬底,露出所述多个管芯结构,且管芯结构之间具有切割道;在切割道相交位置处形成贯穿所述操作衬底的第一通孔;在第一通孔露出的所述导电层表面形成隔离层;形成位于所述操作衬底的底面上的第一电极层,所述第一电极层与所述导电层电连接;在第一通孔侧壁上形成导电材料,以形成第二电极层,所述第二电极层位于所述操作衬底底面且与所述第二半导体层电连接。
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