[发明专利]开关N型LDMOS器件的工艺方法

摘要

本发明公开了一种开关N型LDMOS器件的工艺方法，包含：离子注入形成N型埋层、P型埋层；P型外延层形成，然后进行N型深阱的注入及热推进；光刻及刻蚀形成第二STI；进行一次P型离子注入；光刻及刻蚀形成第一STI，以及STI形貌优化；形成N阱及P阱；形成N型漂移区；栅氧化层形成及多晶硅层形成；注入形成P型体区；形成多晶硅栅极；形成侧墙；光刻定义及离子注入形成重掺杂N型区及重掺杂P型区；快速热退火；钴硅化物形成，淀积层间介质。本发明工艺方法在第二STI刻蚀形成之后增加一步低能量的P型注入，配合N型漂移区的光刻定义和离子注入将漂移区掺杂变成了非均匀掺杂；调整Rds和BV更加方便，可以两个注入分开调节。

主权项

一种开关N型LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第1步，离子注入形成N型埋层，并进行热推进；第2步，离子注入形成P型埋层，并进行热推进；第3步，P型外延层形成，然后进行N型深阱的注入及热推进；第4步，光刻及刻蚀形成第二STI；第5步，进行一次P型离子注入；第6步，光刻及刻蚀形成第一STI；形成热氧化层；第7步，光刻定义及离子注入形成N阱；第8步，光刻定义及离子注入形成P阱；第9步，光刻定义及离子注入形成N型漂移区；N型漂移区与靠源区的有源区无交接；第10步，栅氧化层形成及多晶硅层形成；第11步，光刻定义及离子注入形成P型体区；第12步，光刻及刻蚀形成多晶硅栅极；第13步，形成侧墙；第14步，光刻定义及离子注入形成重掺杂N型区；第15步，光刻定义及离子注入形成重掺杂P型区；第16步，快速热退火；第17步，钴硅化物形成，淀积层间介质。