[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法在审
| 申请号： | 201610876651.6 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298945A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法，包含的工艺步骤为：第1步，在硅片上刻蚀沟槽，淀积一层氧化膜，然后填充多晶硅并回刻；第2步，再淀积一层氧化膜并进行化学机械研磨；第3步，进行氧化硅刻蚀，将硅片表面的氧化硅去除；第4步，光刻胶定义出图形，进行有源区沟槽的氧化硅刻蚀；第5步，剥离光刻胶，生长栅氧化膜，淀积多晶硅并回刻。本发明所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法，相比于传统工艺，在层间氧化硅化学机械研磨之后增加一步湿法刻蚀，将硅片表面的氧化硅膜去除，避免了传统工艺中多晶硅层间氧化膜湿法刻蚀时沿着光刻胶边缘下方横向刻蚀，因此，在版图设计时就不再需要放置dummy trench，节省了管芯面积，同时增加了工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 mosfet 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第1步，在硅片上刻蚀沟槽，淀积一层氧化膜，然后填充多晶硅并回刻；第2步，再淀积一层氧化膜并进行化学机械研磨；第3步，进行氧化硅刻蚀，将硅片表面的氧化硅去除；第4步，光刻胶定义出图形，进行有源区沟槽的氧化硅刻蚀；第5步，剥离光刻胶，生长栅氧化膜，淀积多晶硅并回刻。
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