[发明专利]一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种(101)晶面择优生长的SnS₂纳米片负极材料的制备方法。本研究以无机锡盐为锡源，以有机硫化物为硫源，以聚乙二醇为添加剂，通过简单的溶剂热法一步制备出以(101)晶面择优生长的SnS₂纳米片。这些以(101)晶面为裸露表面的纳米片，在充放电过程中可以提供充足的电化学活性位点，缩短锂离子的扩散路径，加快电化学反应动力学，从而使得电极的倍率性能优异。本发明的优点在于(101)晶面择优生长的SnS₂纳米片的制备工艺简单易行，并可以应用到其他层状物质的择优生长。此方法制备的(101)晶面择优生长的SnS₂纳米片具有优异的倍率性能，是一种潜在的高性能锂离子电池负极材料，有望广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。

主权项

1.一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法，其特征是采用一步溶剂热法并添加表面活性剂聚乙二醇，制备出以(101)晶面为裸露表面的SnS2纳米片；具体工艺步骤为：(1)将一定摩尔量 的锡盐溶解于一定量溶剂中，搅拌均匀形成澄清溶液，锡盐的浓度控制在1×10‑4～3×10‑2mol· L‑1；选用有机硫源加入澄清溶液中，不断搅拌使有机硫源完全溶解；再加入表面活性剂聚乙二醇搅拌均匀，有机硫源浓度控制在4×10‑4～4×10‑1mol· L‑1，表面活性剂聚乙二醇浓度控制在2×10‑3～5×10‑1mol· L‑1；(2)将步骤(1)中得到的溶液倒入带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中，于恒温箱内一定温度下反应一定时间；步骤(1)所述的有机硫源是乙硫醇、丙烯硫醇、硫脲、L‑半胱氨酸；步骤(1)中所述的聚乙二醇是聚乙二醇200、聚乙二醇2000、聚乙二醇6000、聚乙二醇12000中的一种或几种。