[发明专利]带ESD的沟槽型MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610874759.1 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449730A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 丛茂杰;沈浩峰;李豪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带ESD的沟槽型MOSFET器件，包括ESD多晶硅以及位于ESD多晶硅下方的氧化膜层，所述氧化膜层的厚度加厚至避免寄生PMOS管开启。本发明还公开了一种制造带ESD的沟槽型MOSFET器件的方法。使用本发明的带ESD的沟槽型MOSFET器件可以减小IGSSR(Gate反向漏电)失效率。 | ||
| 搜索关键词： | esd 沟槽 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带ESD的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，包括ESD多晶硅以及位于ESD多晶硅下方的氧化膜层，所述氧化膜层的厚度加厚至避免寄生PMOS管开启。
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