[发明专利]一种有机光电器件制备方法有效
| 申请号： | 201610872928.8 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106469785B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 丁磊 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有机光电器件制备方法，包括以下步骤：1)制备掩膜板，并在基板上制备导电层，再将掩膜板覆盖在导电层上，然后在导电层上沉积绝缘层，再去掉掩膜板，在导电层上形成两个条形导电区域，然后在两个条形导电区域的中部与绝缘层上沉积有机发光层；2)在有机发光层上沉积若干阴电极，在两个条形导电区域的两端分别沉积阳电极，得有机光电器件，该方法能够有效的提高有机光电器件的性能，同时避免刻蚀导电基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 光电 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机光电器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制备掩膜板，并在基板(1)上制备导电层(2)，再将掩膜板覆盖在导电层(2)上，然后在导电层(2)上沉积绝缘层(3)，再去掉掩膜板，从而利用绝缘层(3)在导电层(2)上限定出导电区域，然后在导电区域的中部与绝缘层(3)上沉积有机发光层(4)；2)在有机发光层(4)上沉积若干阴电极(5)，在导电区域的两端分别沉积阳电极(6)，其中，各阳电极(6)位于导电区域上有机发光层(4)的两侧，得有机光电器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610872928.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光敏二极管及其制备方法
- 下一篇：有机发光器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
