[发明专利]一种大功率1.8‑4μm半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610871786.3 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106300015A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 廖永平;张宇;魏思航;郝宏玥;徐应强;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大功率1.8‑4μm半导体激光器及其制备方法，涉及中红外激光器技术领域。本发明所述的激光器包括：有源区(包括InGaAsSb量子阱或AlGaInAsSb势垒层)、非掺杂AlGaInAsSb上波导层、绝缘层等结构。同时，本发明提出采用脊型宽面波导，波导刻蚀至上波导层，在绝缘层刻蚀出电注入窗口，形成电流注入区域；在沉积n面电极之前对磨抛面用稀盐酸溶液进行处理；另外，在激光器烧结时通入甲酸和氮气双路保护气体，旨在激光器能够获得大功率输出，避免焊料出现空洞和器件爬In现象，提高器件稳定性和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 1.8 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，包括：有源区、非掺杂AlGaInAsSb上波导层、绝缘层，有源区位于非掺杂AlGaInAsSb上波导层下方，绝缘层位于两者上方，其特征在于，所述的有源区包括：InGaAsSb量子阱和AlGaInAsSb势垒层；所述的非掺杂AlGaInAsSb上波导层上表面具有脊型宽面波导；所述的绝缘层上具有电注入窗口。
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