[发明专利]一种高均匀性的红光LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610870485.9 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106229398B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张雨;张新;于军;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高均匀性的红光LED外延结构及其制备方法，包括由下而上依次设置的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层。本发明通过在生长GaAs缓冲层之前生长AlGaAs缓冲层，将表面氧化层通过AlGaAs缓冲层进行分解吸收，最大程度的减少了衬底表面氧化层对后续外延结构的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 红光 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高均匀性的红光LED外延结构，其特征在于，包括由下而上依次设置的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层；所述GaAs衬底厚度为250‑375μm；所述GaAs缓冲层的厚度为0.2‑0.5μm，载流子浓度为1E17cm‑3～5E18cm‑3；所述AlGaAs/AlAs DBR的载流子浓度为1E17cm‑3～5E18cm‑3；所述AlInP N限制层的厚度为0.5‑1μm，载流子浓度为5E17cm‑3～5E18cm‑3，三五族比为50‑200；所述AlGaInP N波导层的厚度为0.15‑0.5μm，不掺杂，三五族比为150‑350；所述MQW量子阱有源层的厚度为0.05‑0.5μm，不掺杂，三五族比为150‑350；所述AlGaInP P波导层的厚度为0.15‑0.5μm，不掺杂，三五族比为150‑350；所述AlInP P限制层的厚度为0.5‑1μm，载流子浓度为1E18cm‑3～5E18cm‑3，三五族比为50‑200；所述GaP窗口层的厚度为3‑10μm，载流子浓度1E19cm‑3～5E19cm‑3；所述AlGaAs缓冲层的厚度为0.1‑0.8μm，载流子浓度为1E17cm‑3～5E18cm‑3。
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