[发明专利]通过去除非晶化的部分来制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

本发明涉及通过去除非晶化的部分来制造碳化硅半导体器件的方法。形成从主表面（101a）延伸到晶体碳化硅半导体层（100a）中的沟槽（190）。形成包括掩模开口（401）的掩模（400），所述掩模开口（401）暴露出沟槽（190）以及围绕沟槽（190）的主表面（101a）的缘边段（105）。通过用粒子束（990）照射，非晶化由掩模开口（401）暴露出的半导体层（100a）的第一部分（181）以及在掩模开口（401）的垂直投影以外的且直接邻接于第一部分（181）的第二部分（182）。非晶化的第二部分（182）的垂直延伸随着与第一部分（181）的距离增大而逐渐减小。去除非晶化的第一和第二部分（181、182）。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成从主表面（101a）延伸到晶体碳化硅半导体层（100a）中的沟槽（190）；形成包括掩模开口（401）的掩模（400），所述掩模开口（401）暴露出所述沟槽（190）以及围绕所述沟槽（190）的所述主表面（101a）的缘边段（105）；通过用粒子束（990）照射，非晶化由所述掩模开口（401）暴露出的所述半导体层（100a）的第一部分（181）以及在所述掩模开口（401）的垂直投影以外的且直接邻接于所述第一部分（181）的第二部分（182），其中所述非晶化的第二部分（182）的垂直延伸随着与所述第一部分（181）的距离增大而逐渐减小；以及去除非晶化的第一和第二部分（181、182）。