[发明专利]平面连续扩硼方法在审
| 申请号： | 201610862819.8 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449383A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 许颖;袁向东;袁瑒 | 申请（专利权）人： | 北京金晟阳光科技有限公司;莱芜金晟阳光精密设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 100102 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成PN结的硼扩散技术，具体涉及一种平面连续扩硼方法，首先将含硼氧化物粉体或含硼氮化物粉体或含硼氧化物粉体与含硼氮化物粉体的混合物与醇类溶液混合后形成喷涂溶液；然后将所形成的喷涂溶液喷涂在硅片表面，通过高温处理后扩散形成PN结。本发明对硅片无污染，工艺温度低，掺杂浓度可控，且使用的连续处理设备无需升温降温工序，可连续操作，解决了硼扩散温度高、均匀性差、以及不能连续化生产的问题，具有较强的实用性，属于更新换代的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 连续 方法 | ||
【主权项】：
一种平面连续扩硼方法，其特征在于：包括以下步骤，1)形成喷涂溶液：将含硼氧化物粉体或含硼氮化物粉体或含硼氧化物粉体与含硼氮化物粉体的混合物与醇类溶液混合后形成喷涂溶液；2)硅片表面喷涂：将所形成的喷涂溶液喷涂在硅片表面，通过高温处理后扩散形成PN结。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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