[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201610862694.9 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107017220A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 金永淑 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体装置的制造方法，不需要在半导体芯片上形成微凸起。一种半导体装置(1)的制造方法，包含如下的工序半导体芯片排列工序，在作为支承体的基板(11)的第1面(11a)上按照规定的间隔排列多个半导体芯片(13)；基板薄化工序，对基板的第1面的相反侧的第2面(11b)进行磨削而将基板薄化到规定的厚度；贯穿电极形成工序，在薄化后的该基板的规定的位置上形成从该第2面侧到达该半导体芯片的贯穿孔(11c)，然后在该贯穿孔中埋设金属而形成贯穿电极(23)；以及布线层形成工序，在基板的第2面侧形成布线层(25)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法具有如下的工序：半导体芯片排列工序，在作为支承体的基板的第1面上按照规定的间隔排列多个半导体芯片；基板薄化工序，对该基板的该第1面的相反侧的第2面进行磨削而将该基板薄化到规定的厚度；贯穿电极形成工序，在薄化后的该基板的规定的位置上形成从该第2面侧到达该半导体芯片的贯穿孔，然后在该贯穿孔中埋设金属而形成贯穿电极；以及布线层形成工序，在该基板的该第2面侧形成布线层。
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