[发明专利]一种取向高硅钢薄带及其制备方法有效
| 申请号： | 201610862524.0 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106282779B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 刘静;程朝阳;甘章华;向志东;林希峰;张凤泉 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C22C38/02 | 分类号： | C22C38/02;C22C38/16;C22C38/06;C21D8/12 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种取向高硅钢薄带及其制备方法。其技术方案是取向高硅钢薄带的化学成分是Si为5.5~6.8wt%；Cu为0.3~0.6wt%；Al为0.1~0.3wt%；S为0.01~0.015wt%；N为0.005~0.01wt%；其余为Fe和不可避免的杂质。按取向高硅钢薄带的化学成分冶炼，在1300~1650℃浇铸成板坯，将板坯在1000~1200℃热轧成厚度为0.8~1.5mm的热轧板。将热轧板常化处理，在150~450℃温轧至0.3~0.6mm，在室温条件下冷轧至0.1~0.3mm，在700~1200℃保温1~16h，随炉冷却，即得取向高硅钢薄带。所述常化处理的温度为900~1100℃，保温3~15min，冷却方式为水淬。本发明具有工艺简单和流程短的特点；所制备的取向高硅钢薄带铁损低、磁感高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 硅钢 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种取向高硅钢薄带的制备方法，其特征在于所述取向高硅钢薄带的化学成分是：Si为5.5～6.8wt％，Cu为0.3～0.6wt％，Al为0.1～0.3wt％，S为0.01～0.015wt％，N为0.005～0.01wt％，其余为Fe和不可避免的杂质；所述取向高硅钢薄带的制备方法是：按所述取向高硅钢薄带的化学成分冶炼，在1300～1650℃条件下浇铸成板坯，将所述板坯在1000～1200℃条件下热轧成厚度为0.8～1.5mm的热轧板；将所述热轧板进行常化处理，常化处理后的热轧板在150～450℃条件下温轧至0.3～0.6mm，即得温轧板；将所述温轧板在室温条件下冷轧至0.1～0.3mm，即得高硅钢薄带；将所述高硅钢薄带在700～1200℃条件下保温1～16h，随炉冷却，即得取向高硅钢薄带；所述常化处理的温度为900～1100℃，常化处理的保温时间为3～15min；常化处理的冷却方式为水淬。
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