[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：在衬底上依次形成n型层、发光层、p型层；采用刻蚀工艺在p型层上开设延伸至n型层的凹槽；采用激光或刀具在芯片的边缘位置划出延伸至衬底的开口；在开口内、以及凹槽的侧壁、n型层和p型层上沉积绝缘介质；在p型层上设置穿过绝缘介质的p型电极，在n型层上设置穿过绝缘介质的n型电极；沿开口劈裂衬底，形成若干相互独立的发光二极管芯片。本发明避免在芯片的边缘区域也设置凹槽，发光区的边缘即为芯片的边缘，显著节省芯片占用的面积，并且芯片的侧面受到与之前一样的保护，芯片的可靠性没有影响。

主权项

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上依次形成n型层、发光层、p型层；采用刻蚀工艺在所述p型层上开设延伸至所述n型层的凹槽；采用激光在芯片的边缘位置划出延伸至所述衬底内的开口；在所述开口内、以及所述凹槽的侧壁、所述n型层和所述p型层上沉积绝缘介质；在p型层上设置穿过所述绝缘介质的p型电极，在所述n型层上设置穿过所述绝缘介质的n型电极；沿所述开口劈裂衬底，形成若干相互独立的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片的边缘与所述发光层的边缘重合，所述发光二极管芯片靠近所述p型电极的边缘位置的绝缘介质从所述p型层延伸至所述衬底内，所述发光二极管芯片靠近所述n型电极的边缘位置的绝缘介质从所述n型层延伸至所述衬底内；所述采用激光在芯片的边缘位置划出延伸至所述衬底的开口，包括：采用激光在所述芯片的边缘位置灼烧出延伸至所述衬底的开口；采用腐蚀溶液去除所述开口内激光灼伤的表层；所述采用腐蚀溶液去除所述开口内激光灼伤的表层，包括：采用260℃的硫酸和磷酸的混合溶液在所述开口内腐蚀10min；所述绝缘介质为SiO₂，所述绝缘介质的沉积速率为8埃/s。