[发明专利]集成有磁性隧道结的半导体结构及其制造方法

摘要

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；具有位于衬底上方的栅极和至少部分地位于衬底中的掺杂区域的晶体管区域；在晶体管区域上方的第一金属层；以及位于晶体管区域和第一金属层之间的磁性隧道结(MTJ)。本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成晶体管区域，晶体管区域包括栅极和掺杂区域；在晶体管区域上方形成磁性隧道结(MTJ)，磁性隧道结电连接至晶体管区域；在MTJ上方形成第一金属层，第一金属层电连接至MTJ和晶体管区域。本发明的实施例还提供了一种制造半导体结构的方法。

主权项

1.一种半导体结构，包括：/n衬底；/n晶体管区域，包括位于所述衬底上方的栅极以及至少部分位于所述衬底中的第一掺杂区域和第二掺杂区域；/n第一金属互连件，位于所述晶体管区域的上方，所述第一金属互连件包括第一金属通孔、第二金属通孔和第三金属通孔；以及/n磁性隧道结(MTJ)，位于所述晶体管区域的所述第一掺杂区域和所述第一金属互连件的所述第一金属通孔之间；/n其中，所述第二金属通孔直接位于所述第二掺杂区域上方，并且所述第三金属通孔直接位于所述栅极上方。/n