[发明专利]无镉核壳量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201610860795.2 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106634946A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/62;C09K11/70;C09K11/58;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种无镉核壳量子点及其制备方法。所述无镉核壳量子点包括量子点核，在所述量子点核表面连续生长形成的渐变过渡层，在所述渐变过渡层表面形成的外壳层，其中，所述渐变过渡层包含所述量子点核中的核阳离子、核阴离子和所述外壳层中的壳阳离子、壳阴离子；且所述无镉核壳量子点中，所述核阳离子、核阴离子的浓度从内往外依次减小，所述壳阳离子、壳阴离子的浓度从内往外依次增加。 | ||
| 搜索关键词： | 无镉核壳 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无镉核壳量子点，其特征在于，包括量子点核，在所述量子点核表面连续生长形成的渐变过渡层，在所述渐变过渡层表面形成的外壳层，其中，所述渐变过渡层包含所述量子点核中的核阳离子、核阴离子和所述外壳层中的壳阳离子、壳阴离子；且所述无镉核壳量子点中，所述核阳离子、核阴离子的浓度从内往外依次减小，所述壳阳离子、壳阴离子的浓度从内往外依次增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司，未经TCL集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610860795.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
