[发明专利]一种适用于HFCVD设备的温度场补偿装置在审
| 申请号： | 201610860140.5 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106480424A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 简小刚;雷强 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于HFCVD设备的温度场补偿装置，HFCVD设备包括密闭的反应室，工作台(9)，衬底(5)，试样(6)和热丝(4)，工作台(9)设置在反应室内，在工作台(9)上放置所述衬底(5)，热丝(4)设置在工作台(9)上，并悬于衬底(5)上方，工作台(9)内还通循环冷却水(7)，反应室上方还设有供反应气体通入的进气口，温度场补偿装置包括设置在工作台(9)上多块热反射板(2)，反射板(2)相互连接成一体，并形成围绕衬底(5)的反射盖，在反射盖的上部还开有供反应气体进出的通口。与现有技术相比，本发明能较好得提升HFCVD设备衬底温度场均匀性，提升制备金刚石薄膜的质量，节约能源，同时结构简单，易于加工等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 hfcvd 设备 温度场 补偿 装置 | ||
【主权项】：
一种适用于HFCVD设备的温度场补偿装置，所述的HFCVD设备包括密闭的反应室，工作台(9)，衬底(5)，试样(6)和热丝(4)，所述的工作台(9)设置在反应室内，在工作台(9)上放置所述衬底(5)，所述的热丝(4)设置在工作台(9)上，并悬于衬底(5)上方，所述的工作台(9)内还通循环冷却水(7)，所述的反应室上方还设有供反应气体通入的进气口，其特征在于，所述的温度场补偿装置包括设置在工作台(9)上多块热反射板(2)，所述的反射板(2)相互连接成一体，并形成围绕衬底(5)的反射盖，在反射盖的上部还开有供反应气体进出的通口。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
