[发明专利]一种包含自加热效应的SOI电阻建模方法及装置有效
| 申请号： | 201610857675.7 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106446420B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;李莹;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包含自加热效应的SOI电阻建模方法及装置，所述方法包括：根据电阻两端的电压及环境温度计算无自加热效应的电阻值；根据所述无自加热效应的电阻值计算电阻功率；根据所述电阻功率及电阻的热阻计算温度变化量；根据所述温度变化量计算包含自加热效应的电阻值；如此，可以计算出包含自加热效应的电阻值，在对SOI电阻模型进行仿真时可以体现出自加热效应的影响，确保了仿真结果的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 加热 效应 soi 电阻 建模 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种包含自加热效应的SOI电阻建模方法，其特征在于，所述方法包括：根据公式![]()
计算无自加热效应的电阻值res0；根据根据公式P＝V1*V1/res0计算电阻功率P；根据公式计算fdtemp＝dtemp+P*(rth0/w)计算温度变化量fdtemp；根据公式![]()
计算包含自加热效应的电阻值res1；其中，所述rsh为方阻，所述l为电阻理论长度，所述dl为电阻长度变化量，所述w为电阻理论宽度，所述dw为电阻宽度变化量，所述tc1为第一温度系数，所述tc2为第二温度系数，所述dtemp为环境温度与基准温度的差值，所述pvc1为第一电压系数，所述pvc2为第二电压系数，所述V1为电阻两端的电压，所述abs(V1)为电压V1的绝对值，所述rth0为电阻热阻值。
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