[发明专利]一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法

摘要

本发明提供了一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法，在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂；有机柔性衬底为有机薄膜，外延衬底为砷化镓衬底，砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片，被两块石墨片夹紧的外延片及有机薄膜一起放入真空热压机中进行紧密贴附工艺；将贴附完成的外延片及有机薄膜一并取出，放入腐蚀液中进行衬底腐蚀去除砷化镓衬底，再用盐酸或磷酸腐蚀液去除GaInP阻挡层，制得柔性外延层。本发明通过有机薄膜作为外延转移支撑衬底，利用有机粘结剂和真空热压辅助贴合工艺提高可靠性和成品率，能够使砷化镓外延产品实现减轻重量、减薄厚度，柔性可弯折、耐酸碱环境，具有更广泛的应用范围。

主权项

1.一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法，其工艺步骤如下：1)涂覆有机粘结剂在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂；其中，所述有机柔性衬底为有机薄膜；所述外延衬底为砷化镓衬底，所述砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片，GaInP阻挡层厚度为50～500nm；将上述涂有机粘结剂的外延片与有机薄膜对齐叠置，外面两侧分别放置石墨片并压紧；2)紧密贴附将上述被两块石墨片夹紧的外延片及有机薄膜一起放入真空热压机中进行紧密贴附工艺，温度25～300℃，压力0.5～1.5MPa，时间0.1～1h，真空度1E‑1～1E‑4Pa，所述石墨片厚度0.3～2mm；3)砷化镓衬底去除将上述贴附完成的外延片及有机薄膜一并取出，在有机薄膜一面多层次贴膜进行保护和支撑，然后一并放入腐蚀液中进行衬底腐蚀，去除砷化镓衬底，腐蚀直至砷化镓衬底全部去除，表面露出完整的GaInP为止；再用体积比1:1～2:1的盐酸和磷酸腐蚀液去除GaInP阻挡层，并用去离子水冲洗干净、吹干即可制得柔性外延层；其中，腐蚀液组成配比体积比：硫酸5％～15％，过氧化氢15％～25％，其余为去离子水。