[发明专利]一种五结叠层太阳电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳电池技术领域，提供一种五结叠层太阳电池及其制备方法，所述五结叠层太阳电池包括三结电池结构和双结电池结构；三结电池结构依次包括GaAs帽层、AlGaInP子电池、第一隧穿结、AlGaAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结和第一键合层；双结电池结构依次包括Ge衬底、窗口层、第四隧穿结、(AlGa)yIn1‑yAs晶格渐变缓冲层、GaxIn1‑xAs子电池和第二键合层；第一键合层和第二键合层的键合将三结电池结构和双结电池结构结合，实现使电池的带隙结构达到与太阳光谱的有效匹配，发挥III‑V族叠层太阳电池的优势，并提高电池的开路电压和填充因子，提高电池的光电转换效率。

主权项

1.一种五结叠层太阳电池，其特征在于，所述五结叠层太阳电池包括由GaAs衬底反向生成形成的三结电池结构和由Ge衬底正向生长形成的双结电池结构；所述三结电池结构依次包括GaAs帽层、AlGaInP子电池、第一隧穿结、AlGaAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结和第一键合层；所述双结电池结构依次包括Ge衬底、窗口层、第四隧穿结、(AlGa)yIn1‑yAs晶格渐变缓冲层、GaxIn1‑xAs子电池和第二键合层；所述第一键合层和第二键合层的键合将所述三结电池结构和双结电池结构结合。