[发明专利]接合垫结构及其制造方法有效
申请号: | 201610852644.2 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN107871668B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 涂祈吏;陈宏维;吕世襄;王靖雯 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/768 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邵涛;王春光 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种接合垫结构及其制造方法,接合垫结构包括一介电层,位于一基底上,一接合垫设置于介电层上,且一第一金属图案层埋设于介电层内并位于接合垫正下方。第一金属图案层包括一第一本体部及多个第一岛形部,第一本体部具有位于其中心区域的多个第一开口及沿其周围区域排列且围绕第一开口的多个第二开口,第一岛形部对应设置于第二开口内,且与第一本体部隔开,多个第一内连接结构,设置于介电层内且对应于第一岛形部,每一第一内连接结构包括至少一介层插塞,使接合垫电性连接至第一岛形部。本发明可利用第一金属图案层传输两种不同信号,可利用于第一开口内填入介电层强化接合垫机械强度,防止接合垫在打线制程中受损。 | ||
搜索关键词: | 接合 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种接合垫结构,其特征在于,所述接合垫结构包括:一介电层,位于一基底上;一接合垫,设置于该介电层上;一第一金属图案层,埋设于该介电层内,且位于该接合垫正下方,该第一金属图案层包括:一第一本体部,具有位于该第一本体部的中心区域的多个第一开口及沿该第一本体部的周围区域排列且围绕多个所述第一开口的多个第二开口;以及多个第一岛形部,分别对应设置于多个所述第二开口内且与该第一本体部隔开;以及多个第一内连接结构,设置于该介电层内且分别对应于多个所述第一岛形部,使该接合垫电性连接至多个所述第一岛形部,其中每一所述第一内连接结构包括至少一介层插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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