[发明专利]一种ESD器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610850755.X | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106356335B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 朱天志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型ESD器件及其制作方法，该ESD器件包括：半导体基体和设置于所述半导体基体中的P阱；生成于所述P阱中的第一N阱和第二N阱；设置于所述第一N阱中的NPN结构以及设置于所述第二N阱中的二极管结构；设置于所述NPN结构的发射极下的ESD植入层，本发明通过将P型ESD植入层的注入位置从集电极下方移到发射极的下方，进一步降低了垂直方向的NPN回滞效应的触发电压，从而达到降低整个静电防护结构的触发电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 esd 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种ESD器件，其特征在于，该ESD器件包括：半导体基体和设置于所述半导体基体中的P阱；生成于所述P阱中的第一N阱和第二N阱；设置于所述第一N阱中的NPN结构以及设置于所述第二N阱中的二极管结构；设置于所述NPN结构的发射极N结下的ESD植入层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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