[发明专利]一种在碳布上生长的氢氧化镍@二氧化锰核壳异质结构纳米片阵列材料、制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 201610850269.8 申请日: 2016-09-26
公开(公告)号: CN106298285A 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 张小俊;付阳 申请(专利权)人: 安徽师范大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;B82Y30/00
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司34107 代理人: 任晨晨
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种基于在碳布上生长的氢氧化镍@二氧化锰核壳异质结构纳米片阵列材料、制备方法及其应用。与现有技术相比,本发明所制备的氢氧化镍@二氧化锰核壳异质结构纳米片生长在碳布上,可直接作为超级电容器的电极材料,不仅实现了电极的柔性,长的稳定性,大的具体电容,高的能量密度和功率密度,而且组装成柔性的对称超级电容器,提高了能量密度和功率密度,并成功运转一台微型电动机。
搜索关键词: 一种 碳布上 生长 氢氧化 二氧化锰 核壳异质 结构 纳米 阵列 材料 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种基于在碳布上生长的氢氧化镍@二氧化锰核壳异质结构纳米片阵列材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)将镍源、氟化铵和尿素混合于二次蒸馏水中,混合均匀,得到混合液,加入反应釜中,将清洗后的碳布浸入混合液中,反应釜密闭,加热反应后,冷却至室温,洗涤、干燥,即制得有氢氧化镍纳米片阵列的碳布;(2)在反应釜中,将步骤(1)制备的得有氢氧化镍纳米片阵列的碳布置于高锰酸钾溶液中,封闭反应釜,加热反应后,冷却至室温,洗涤、干燥,即得氢氧化镍@二氧化锰核壳异质结构纳米片阵列材料。
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