[发明专利]一种用于SiC晶片掺杂的离子注入方法及装置

摘要

一种用于SiC晶片掺杂的离子注入方法，包括以下步骤：产生SiC晶片掺杂需要的Al离子并引出形成离子束；对离子束依次进行质量分析、光栏分析和水平扫描；将宽带束变为平行束；加速提高离子束的能量；对加速后的离子束进行偏转过滤；经偏转过滤后的离子束注入SiC晶片，注入过程中对SiC晶片进行垂直扫描。一种用于SiC晶片掺杂的离子注入装置，包括按照注入过程依次设置的溅射式离子源、引出装置、质量分析器、分析光栏、水平扫描器、平行透镜、等梯度加速管、能量过滤器及靶盘，所述溅射式离子源配设有气箱，所述靶盘连接垂直扫描器。本发明具有成本低、离子束平行度好、传输效率高、良品率高、降低能量污染等优点。

主权项

一种用于SiC晶片掺杂的离子注入方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：产生SiC晶片掺杂需要的Al离子；S2：引出，将产生的Al离子引出并形成离子束(17)；S3：筛选、提纯，对离子束(17)依次进行质量分析和光栏分析；S4：水平扫描，对离子束(17)进行水平方向的扫描，形成水平方向能覆盖SiC晶片的扇形带状束；S5：平行处理，将扇形带状束转变为平行束；S6：加速，将平行束的能量提高到SiC晶片掺杂所需要的值；S7：偏转过滤，对加速后的离子束(17)进行偏转过滤；S8：注入，经偏转过滤后的离子束(17)注入SiC晶片，注入过程中对SiC晶片进行垂直扫描。