[发明专利]具有高灵敏横向光感生电压响应的薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明是一种具有高灵敏横向光感生电压响应的光探测薄膜材料及其制备方法，薄膜材料为外延地或者近似外延地生长在斜切的LaAlO3、LaSrAlO4或SrTiO3等单晶体衬底表面的(La1.85‑xNdx)AyCuO4+z薄膜，x的大小在0至0.7的范围内，y在0.125至0.175的范围内，z小于1，A为Sr、Ba、Pb或其组合。斜切衬底的斜切方向为，衬底的表面法向相对于衬底材料〈001〉晶向倾斜了5°—30°角度；生长在斜切衬底表面的薄膜厚度为50nm—500nm，并且，薄膜在外延生长晶面内受到由于晶格失配所产生压应力作用。采用脉冲激光、脉冲电子束或者脉冲离子束等辐照(La1.85‑xNdx)AyCuO4+z的多晶靶材，产生高能原子在800℃—920℃的温度下沉积在斜切衬底表面形成薄膜。在薄膜表面内与薄膜〈010〉晶轴垂直方向上，薄膜受光脉冲辐照可以产生高灵敏、快响应的电压信号，可以应用于光探测。