[发明专利]磁性存储器件和制造该磁性存储器件的方法在审
| 申请号： | 201610849477.6 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106953003A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张荣万;李俊明;金起园;朴容星 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了磁性存储器件，该磁性存储器件包括磁隧道结图案，该磁隧道结图案包括第一自由层、被钉扎层以及在第一自由层和被钉扎层之间的隧道势垒层。第一自由层包括第一自由磁性图案和第二自由磁性图案，该第一自由磁性图案具有与隧道势垒层直接接触的第一表面以及与第一表面相反的第二表面，第二自由磁性图案与第二表面接触。第二自由磁性图案包括铁‑镍(FeNi)，且第二自由磁性图案的镍含量在从大约10at％到大约30at％的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性存储器件，包括：磁隧道结图案，该磁隧道结图案包括第一自由层、被钉扎层以及在所述第一自由层和所述被钉扎层之间的隧道势垒层；其中，所述第一自由层包括：第一自由磁性图案，该第一自由磁性图案具有与所述隧道势垒层直接接触的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面；以及第二自由磁性图案，该第二自由磁性图案与所述第一自由磁性图案的所述第二表面接触，其中所述第二自由磁性图案包括铁‑镍(FeNi)；以及其中所述第二自由磁性图案的镍含量在从10at％到30at％的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610849477.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：汉文化路灯
- 下一篇：吊灯（D3025‑6）
