[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610848816.9 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107037094A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 林诗玮;吴常明;曾李全;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底；栅极结构，位于衬底的第一表面上方；以及源极区域和漏极区域，在衬底中与栅极结构相邻。该半导体结构还包括沟道区域，夹置在源极区域和漏极区域之间并且位于栅极结构下方。该半导体结构还包括第一层，位于衬底的与第一表面相对的第二表面上方；以及第二层，位于第一层上方。该半导体结构还包括感应膜，位于沟道区域上方以及第一层和第二层的至少一部分上方；以及阱，位于感应膜上方并切断第一层和第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底的第一表面上方；源极区域和漏极区域，在所述衬底中与所述栅极结构相邻；沟道区域，夹置在所述源极区域和所述漏极区域之间并且位于所述栅极结构下方；第一层，位于所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面上方；第二层，位于所述第一层上方；感应膜，位于所述沟道区域上方以及所述第一层和所述第二层的至少一部分上方；以及阱，位于所述感应膜上方并切断所述第一层和所述第二层。
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