[发明专利]一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器

摘要

本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用于增强Si‑Ge、GaAs‑InAs、InP‑InGaAs、InAlAs‑InGaAs、GaAs‑AlSb等不同波段的雪崩探测器性能，提升高速光通讯、单光子计数、激光雷达、量子信息等雪崩探测器系统的应用水平。

主权项

一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，其特征在于：在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构；其中，采用电子倍增架构时，量子点与倍增层材料的导带带阶大于价带带阶；采用空穴倍增架构时，量子点与倍增层材料的价带带阶大于导带带阶；量子点层为多层时，相邻量子点层之间的间隔层厚度大于量子点之间的受限激子波函数相互作用距离。