[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有第一外延层，所述第一外延层包括若干预定作为光电二极管区的区域；在第一外延层中相邻光电二极管区之间形成深沟槽；在深沟槽的底部和侧壁上形成衬垫层；在深沟槽中形成多晶硅层，该多晶硅层的顶面低于第一外延的顶面，以部分填充深沟槽；在深沟槽中的所述多晶硅层上形成覆盖层，以填充满深沟槽形成深沟槽隔离结构；在第一外延层的表面上生长第二外延层，并使第二外延层的顶面高于深沟槽隔离结构的顶面。根据本发明的方法，改善了相邻光电二极管之间的隔离性能，提高了器件的性能和良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一外延层，所述第一外延层包括若干预定作为光电二极管区的区域；在所述第一外延层中相邻所述光电二极管区之间形成深沟槽；在所述深沟槽的底部和侧壁上形成衬垫层；在所述深沟槽中形成多晶硅层，该多晶硅层的顶面低于所述第一外延的顶面，以部分填充所述深沟槽；在所述深沟槽中的所述多晶硅层上形成覆盖层，以填充满所述深沟槽形成深沟槽隔离结构；在所述第一外延层的表面上生长第二外延层，并使所述第二外延层的顶面高于所述深沟槽隔离结构的顶面。