[发明专利]碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片有效
| 申请号： | 201610843180.9 | 申请日： | 2009-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106435733B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 中林正史;藤本辰雄;胜野正和;柘植弘志 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 孙丽梅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种优质的碳化硅单晶以及碳化硅单晶晶片，所述碳化硅单晶，其位错和微管等的晶体缺陷的密度低，在应用于器件时成品率高并可发挥高的性能，在晶种与生长晶体的界面的生长方向的前后的杂质添加元素浓度之比为5倍以内，并且，晶种附近的生长晶体的杂质添加元素浓度为2×10 |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶，是包含晶种和在晶种上生长出的生长晶体的碳化硅单晶，其特征在于，所述生长晶体的至少晶种附近区域，杂质添加元素浓度为2×1019cm‑3以上、6×1020cm‑3以下，并且，在晶种与生长晶体的界面前后的杂质添加元素浓度较高者与较低者之比即高浓度侧晶体的浓度/低浓度侧晶体的浓度为5倍以内。
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