[发明专利]分栅式闪存技术中的叉指电容器及其形成方法

摘要

本公开的实施例涉及能够与分栅式闪存单元一起形成并且提供每单位面积高电容的叉指电容器及其形成方法。在一些实施例中，该叉指电容器具有设置在半导体衬底的上表面内的阱区。多个沟槽从该半导体衬底的上表面垂直延伸至阱区内的位置处。下部电极布置在多个沟槽内。该下部电极通过沿多个沟槽的内表面布置的电荷捕获介电层与阱区分隔开。多个上部电极在通过电荷捕获介电层与下部电极横向分隔开以及通过第一介电层与阱区垂直分隔开的位置处布置在半导体衬底上方。

主权项

1.一种集成芯片，包括：/n阱区，设置在半导体衬底的上表面内；/n多个上部电极，在通过第一介电层与所述半导体衬底垂直分隔开的位置处布置在所述半导体衬底的上方；/n一个或多个下部电极，从所述多个上部电极之间垂直延伸至嵌于所述阱区内的位置处；以及/n电荷捕获介电层，布置在所述半导体衬底与所述一个或多个下部电极之间以及布置在所述多个上部电极与所述一个或多个下部电极之间，其中，所述电荷捕获介电层包括相互分离的多个区段，并且所述多个区段分别衬垫所述一个或多个下部电极中的一个的相对侧壁和下表面。/n