[发明专利]一种大尺寸硅基GaAs衬底制备方法在审
| 申请号： | 201610841920.5 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106373866A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造及设计技术领域，特别涉及一种大尺寸硅基GaAs衬底制备方法，该方法包括以下步骤步骤1选取单晶Si衬底，并对单晶Si衬底清洗；步骤2在所述单晶Si衬底表面形成若干封闭沟道；步骤3在步骤2处理过的单晶Si衬底上采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤4采用MOCVD的方法，在所述锗层上低温、低生长速率外延生长GaAs缓冲层；步骤5在GaAs缓冲层上，生长GaAs层，完成衬底材料的制备。该方法解决大尺寸外延生长时衬底翘曲严重问题，同时解决Si衬底上生长GaAs外延层时产生大量位错以及反相畴问题，制备高质量大尺寸砷化镓衬底材料，为高质量GaAs器件奠定衬底基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 gaas 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸硅基GaAs衬底制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：选取单晶Si衬底，并对单晶Si衬底清洗；步骤2：在所述单晶Si衬底表面形成若干封闭沟道；步骤3：在步骤2处理过的单晶Si衬底上采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤4：采用MOCVD的方法，在所述锗层上低温、低生长速率外延生长GaAs缓冲层；步骤5：在GaAs缓冲层上，生长GaAs层，完成衬底材料的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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