[发明专利]一种SiC薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610841190.9 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106399967B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 深圳市华尔利泰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/50;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 乔浩刚 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种第三代宽禁带半导体材料制备技术，特别涉及一种SiC薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：(1)提供并清洗单晶Si衬底，并在该单晶Si衬底上设置一碳纳米管层；(2)将设置有碳纳米管层的生长衬底放入HFCVD系统，在碳纳米管层表面形成SiC膜；(3)将步骤(2)形成的衬底放入MOCVD系统，C3H8碳化未被碳纳米管覆盖的单晶Si衬底，形成碳化膜；(4)SiH4和C3H8为生长源生长SiC，形成表面平整的SiC薄膜缓冲层；(5)SiH4和C3H8为生长源生长SiC，形成SiC薄膜层。本发明所述方法制得的SiC薄膜材料的晶体质量良好。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 碳纳米管层 单晶 制备 生长源 放入 生长 宽禁带半导体材料 表面平整 表面形成 碳纳米管 第三代 缓冲层 碳化膜 碳化 清洗 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种SiC薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供并清洗单晶Si衬底，并在该单晶Si衬底上设置一碳纳米管层；其中，碳纳米管层中多个碳纳米管沿着平行于碳纳米管层表面的方向延伸；(2)将设置有碳纳米管层的生长衬底放入HFCVD系统，以SiH4为硅源，H2作为硅源稀释气体和载气，在碳纳米管层表面形成SiC膜；(3)将步骤(2)形成的衬底放入MOCVD系统，C3H8碳化未被碳纳米管覆盖的单晶Si衬底，形成碳化膜；(4)SiH4和C3H8为生长源生长SiC，形成表面平整的SiC薄膜缓冲层，之后在H2气氛下退火；(5)SiH4和C3H8为生长源生长SiC，之后在H2气氛下退火，形成SiC薄膜层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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