[发明专利]一种单晶硅片的清洗工艺

摘要

本发明涉及单晶硅片的清洗领域。本发明在行业内常用的槽式和链式清洗设备基础上，使用常见酸碱对砂浆切割片进行清洗。清洗后的硅片外观光亮，显微镜下成方块结构，总体刻蚀量控制在9μm，设备操作和工艺控制简单，清洗后的硅片外观变化明显。两次清洗工艺对现有槽式机和链式机的清洗工艺进行简单修改，不需要额外增加特殊的清洗设备和特殊设计。不使用双氧水等强氧化性对设备由损伤的化学品。最终对砂浆切割单晶电池片，少子寿命可以提高30μs，电池片钝化后开路电压Uoc提高10mV，相比普通工艺，单晶电池转换效率提高0.8%。

主权项

一种单晶硅片的清洗工艺，其特征在于：按照如下步骤进行步骤一、槽式清洗，将单晶硅片浸泡在第一混酸中20‑30分钟，然后使用质量百分比浓度为20%的KOH进行刻蚀清洗3‑5分钟，然后使用水清洗，然后使用质量百分浓度为3%的HCl清洗3‑5分钟，然后再使用水清洗后在60摄氏度下烘干，第一混酸由HF和HCl混合而成，第一混酸中HF质量百分比浓度为2%，HCl质量百分浓度为3%；步骤二、链式清洗，将经过步骤一清洗过的单晶硅片浸泡在质量百分比浓度为2%的KOH碱液中20‑30分钟，然后使用第二混酸进行刻蚀清洗3‑5分钟，然后使用水清洗，然后再使用质量百分比浓度为5%的KOH碱液进行清洗，然后使用水清洗，然后使用质量百分浓度为3%的HCl清洗3‑5分钟，然后再使用水清洗后在60摄氏度下烘干，第二混酸由HNO3和HF混合而成，第二混酸中HNO3质量百分比浓度为20%，HF质量百分比浓度为3%。