[发明专利]一种偏振发光二极管芯片

摘要

本发明涉及一种偏振发光二极管芯片，是一种棱台结构的发光二极管芯片，该棱台结构的发光二极管芯片包括自下而上依次设置的蛾眼结构增透层、周期性蛾眼结构/第二介质阵列层、以及具有完整结构可以正常发光的光二极管芯片，所述棱台结构的发光二极管芯片还包括在棱台斜面及顶面上设置的金属高反射层。本发明的优点在于：本发明为棱台结构的发光二极管芯片，进而形成斜面，且在斜面上设置金属高反射层，能够将横向的光线反射后出射，从而减小光能的损失；通过在发光二极管芯片的出光面设置周期性蛾眼结构/第二介质阵列表面层，可以使发光二极管出射偏振光；同时，通过设置的蛾眼结构增透层，提高光线的出射角，将原来发生全发射的光线出射。

主权项

1.一种偏振发光二极管芯片，其特征在于：所述偏振发光二极管芯片是一种棱台结构的发光二极管芯片，该棱台结构的发光二极管芯片包括自下而上依次设置的蛾眼结构增透层、周期性蛾眼结构/第二介质阵列层、以及具有完整结构可以正常发光的光二极管芯片，所述棱台结构的发光二极管芯片还包括在棱台斜面及顶面上设置的金属高反射层；所述棱台结构的发光二极管芯片，其侧面与台面夹角的锐角度数为30°～60°，即相对应的钝角为150°～120°；所述蛾眼结构增透层的图形是具有周期结构的半椭球体或圆锥，图形的横向周期为0 .3 μm ～30 μm，图形的底面直径与高度比为0 .2～8；所述周期性蛾眼结构/第二介质阵列层，是具有复合周期的阵列结构，其中周期性蛾眼结构是具有周期结构的半椭球体图形或圆锥图形，图形的横向周期为0 .3 μm ～30 μm，图形的底面直径与高度比为0 .2～8；第二介质是填充的与蛾眼结构不同折射率的介质。