[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201610836732.3 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN106340542A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 童春媛,彭昶 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在包括氧化物半导体层的晶体管中，形成氧化物绝缘层，以与氧化物半导体层接触。然后，通过氧化物绝缘层将氧引(加)入氧化物半导体层，并进行热处理。通过氧引入和热处理的这些步骤，从氧化物半导体层有意地去除杂质，如氢、水分、羟基或氢化物，以便使氧化物半导体层高度纯化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包含：包含沟道形成区域的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上并与所述氧化物半导体层电连接的电极层，所述电极层为源电极层和漏电极层之一；和与所述电极层的表面接触的氧化物区域，其中所述电极层和所述氧化物区域包含相同的金属。
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