[发明专利]ZnO掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610836230.0 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106384783A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王正来;王国祥;王慧;沈祥;谷婷;吕业刚;陈飞飞 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C30/06 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了ZnO掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(ZnO)x(GST)100‑x，其中0<x≤20.1at%，具体制备步骤如下在磁控溅射镀膜系统中，采用石英片或氧化硅片为衬底，将ZnO靶材安装在磁控直流溅射靶中，将GST靶材安装在磁控射频溅射靶中，将溅射腔室进行抽真空直至1.6×10‑4Pa，然后通入高纯氩气直气压0.3Pa，控制ZnO靶的溅射功率为0‑20W，GST靶为70W，于室温下溅射镀膜200秒；将薄膜样品放入快速退火炉中，进行退火，即得到热处理后的ZnO掺杂GST相变存储薄膜材料，优点是晶态电阻大，结晶温度高，热稳定性好，寿命长，低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | zno 掺杂 ge2sb2te5 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料，其特征在于：其化学结构式为(ZnO)x(Ge2Sb2Te5)100‑x，其中0<x≤20.1at%。
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