[发明专利]半导体器件的测试优化方法和系统及建模优化方法和系统

摘要

本发明公开了半导体器件的测试优化和建模优化方案。其中，测试优化方案基于测试特定非直流参数的测试结构，构建测试结构的辅助结构并进行该非直流参数的测试，基于辅助结构的寄生网络模型和测试结果来计算该测试结构的并联寄生电阻和串联寄生电阻，进行线性拟合获得测试结构的直流寄生电阻，以及对该测试结构执行直流测试获得直流测试数据，并基于直流等效子电路模型来校正直流测试数据。本发明直接借助非直流参数的测试结构，并消除该测试结构的寄生元素对直流测试数据的影响，使得直流测试数据和该非直流参数的测试数据所表征的半导体器件趋向一致，从而对半导体器件特性的评估更为准确，也为建模提供了可靠的数据。

主权项

1.一种半导体器件的测试优化方法，其特征在于，基于测试特定非直流参数的测试结构，执行以下步骤：构建所述测试结构的辅助结构并进行所述非直流参数的测试，基于所述辅助结构的寄生网络模型和测试结果来计算所述测试结构的并联寄生电阻和串联寄生电阻；其中，所述辅助结构包括open辅助结构和short辅助结构；所述open辅助结构的寄生网络模型为三元素的pi型网络，所述short辅助结构的寄生网络模型为三元素的pi型网络和三元素的T型网络之并联，所述pi型网络由所述open辅助结构的寄生网络模型确定；当辅助结构为open辅助结构时，计算所述并联寄生电阻的步骤包括：对所述open辅助结构进行所述非直流参数的测试，基于测试结果计算所述pi型网络中每一个元素的导纳，并取每个元素导纳的实部的倒数作为所述并联寄生电阻；当辅助结构为short辅助结构时，计算所述串联寄生电阻的步骤包括：对所述short辅助结构进行所述非直流参数的测试，基于测试结果计算所述T型网络中每一个元素的阻抗，并取每个元素阻抗的实部作为所述串联寄生电阻；对所述并联寄生电阻和所述串联寄生电阻进行线性拟合，获得零频拟合值作为所述测试结构的直流寄生电阻，并构建所述测试结构的直流等效子电路模型；对所述测试结构进行直流测试获得直流测试数据，并基于所述直流等效子电路模型来校正所述直流测试数据。