[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法和用于制备多晶硅锭的铸锭炉在审
| 申请号： | 201610830025.3 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106222743A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 罗鸿志;胡动力;刘海 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到多晶硅铸锭炉的坩埚内，掺杂剂为含有P型掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种，P型掺杂元素包括镓、铟和铝中的至少一种；在保护气体存在下，加热使多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节铸锭炉温度，使硅熔体开始长晶得到硅晶体，在长晶过程中，当硅晶体的电阻率达到临界电阻率时，向坩埚内通入含N型掺杂元素的气体，使由硅熔体生长出的硅晶体的电阻率被调控到目标电阻率，硅熔体继续长晶，待坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到多晶硅锭，临界电阻率为0.9‑1.1Ω·cm，目标电阻率为1‑3Ω·cm。本发明通过在硅熔体长晶阶段通入含N型掺杂元素的气体，能有效提高晶体硅的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 及其 制备 方法 用于 铸锭 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到多晶硅铸锭炉的坩埚内，所述掺杂剂为含有P型掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种，所述P型掺杂元素包括镓、铟和铝中的至少一种；在保护气体存在下，加热使所述多晶硅料和所述掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节所述多晶硅铸锭炉的温度，使所述硅熔体开始长晶得到硅晶体，在长晶过程中，当所述硅晶体的电阻率达到临界电阻率时，向所述坩埚内通入含N型掺杂元素的气体，使由所述硅熔体生长出的硅晶体的电阻率被调控到目标电阻率，所述硅熔体继续长晶，待所述坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到多晶硅锭，所述临界电阻率为0.9‑1.1Ω·cm，所述目标电阻率为1‑3Ω·cm。
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