[发明专利]基于选区激光烧结技术制备具有导电通道的结构件的方法有效
| 申请号: | 201610828048.0 | 申请日: | 2016-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN106449423B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
| 发明(设计)人: | 沈理达;林会杰;谢德巧;梁绘昕;邱明波;田宗军 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
| 地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种基于选区激光烧结技术制备具有导电通道的结构件的方法,通过选区激光烧结技术与电沉积技术相结合,在建模软件中建立模型,利用添加微滴喷射装置的SLS机床打印结构件,将打印好的结构件清理后放入硫酸铜溶液中进行电沉积,使空心圆管内部被金属铜填满,进行后处理。本发明方法制备的结构件内部电路可具有复杂的结构,可降低装配难度,提高空间利用率,在航空航天与武器装备领域有着良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 选区 激光 烧结 技术 制备 具有 导电 通道 结构件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于选区激光烧结技术制备具有导电通道的结构件的方法,其特征在于,通过选区激光烧结技术与电沉积技术相结合,具体包括步骤如下:1)在建模软件中建立所需加工的具有导电通道的结构件的模型,导电通道位置用空心圆管代替;2)将上述建立得到的模型导入切片软件中进行前处理;3)利用添加微滴喷射装置的选择性激光烧结机床打印上述结构件的模型;4)将打印好的结构件清理后放入硫酸铜溶液中进行电沉积,使结构件的空心圆管内部被金属铜填满,形成铜线;5)将结构件从溶液中拿出进行烘干,并进行后处理;上述步骤1)中具体包括:结构件内部电路部分在模型生成时,用半径2mm,厚度0.2mm的空心圆管进行替代;上述步骤2)中具体包括:在参数选择时,选择用辅助材料打印结构件中的空心圆管结构,用基体材料打印结构件的其余结构;上述步骤3)中具体包括:将处理过的文件导入到机床控制系统内,在打印每一层时,首先通过控制微滴喷射装置打印可导电的空心圆管结构,再通过控制电机与激光器振镜的运动进行铺粉并打印出非导电基体结构,然后进行下一层的打印,直至最终打印完整结构件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航空航天大学,未经南京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610828048.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铜核球的制备方法
- 下一篇:一种银微丝的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





