[发明专利]一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法，属于无机半导体薄膜的合成技术领域。本发明的技术方案要点为：在180℃的条件下，通过水热合成，在导电玻璃上生长二硫化钼薄膜；运用离子交换方法，将金属掺杂于二硫化钼薄膜之上得到金属掺杂二硫化钼薄膜。本发明操作工艺简单易行，重复性好，薄膜厚度可控，其光亮的表面拥有镜面效果，同时掺入的金属提高了二硫化钼薄膜的导电性和催化性能。

主权项

1.一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：在烧杯中加入35mL去离子水，在搅拌的条件下加入0.0618‑0.618g钼酸铵和0.1142‑1.142g硫脲，搅拌混合均匀后超声2min得到前驱体溶液；将前驱体溶液置于水热反应釜中，再将预先清洗干净且干燥的导电玻璃置于水热反应釜中，然后于160‑220℃水热反应12‑24h，反应结束后冷却至室温，取出生长有二硫化钼的导电玻璃用去离子水清洗干净后置于真空干燥箱中于80℃干燥2h；在离心管中加入10mL摩尔浓度为0.05‑0.5mol/L的可溶性金属硝酸盐，再将干燥后的生长有二硫化钼的导电玻璃置于离心管中，于10‑30℃的水浴条件下离子交换0.5‑12h，取出离子交换后的导电玻璃用去离子水清洗干净，再将该导电玻璃置于管式炉中，在氮气气氛下于450℃热处理2h最终得到金属掺杂二硫化钼薄膜。