[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610827160.2 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106531791A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 冈崎拓行;仓桥健一郎;小山英寿;北野俊明;加茂宣卓 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到一种能够提高耐湿性而不使绝缘膜变厚的半导体装置及其制造方法。氮化物半导体膜(4)形成于衬底(1)上。栅极电极(6)形成于氮化物半导体膜(4)上。由氮化硅构成的第1绝缘膜(11)形成于氮化物半导体膜(4)上，与栅极电极(6)的侧面的至少一部分接触，在第1绝缘膜(11)与氮化物半导体膜(4)之间形成界面。由原子层交替排列的氧化铝构成的第2绝缘膜(12)覆盖栅极电极(6)及第1绝缘膜(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底；氮化物半导体膜，其形成于所述衬底上；肖特基电极，其形成于所述氮化物半导体膜上；第1绝缘膜，其由氮化硅构成，形成于所述氮化物半导体膜上，与所述肖特基电极的侧面的至少一部分接触，在所述第1绝缘膜与所述氮化物半导体膜之间形成界面；以及第2绝缘膜，其由原子层交替排列的氧化铝构成，覆盖所述肖特基电极及所述第1绝缘膜。
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