[发明专利]一种铜基铌三锡薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610825848.7 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106381470B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 谭巍巍;鲁向阳;谢大弢;肖丽;杨自钦;赵继飞;杨德宇;羊宇佳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜基铌三锡薄膜及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：1)利用磁控溅射的方法，在铜基底上沉积隔离层；2)利用磁控溅射的方法溅射铌原子和锡原子，在所述隔离层上得到铌三锡前驱体；3)所述铌三锡前驱体经退火即得所述铜基铌三锡薄膜。本发明在铜基上制备了高品质的铌三锡薄膜，能充分利用铜基和铌三锡薄膜的各项优势。本发明制备得到的铌三锡物相单纯，超导性优良；铜与铌三锡薄膜之间连接牢固，可以用于整体超导腔的制造。由于铜的导热性优异，本发明铜基铌三锡薄膜可以解决铌超导腔容易出现热失超的问题。由于铌三锡薄膜超导性能好，它能改善铌射频超导性能不足的问题，将超导腔提高到4K温度下工作，同时能提高超导腔的加速梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜基铌三锡 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜基铌三锡薄膜的制备方法，包括如下步骤：1）利用磁控溅射的方法，在铜基底上沉积隔离层；所述隔离层为铌隔离层；所述磁控溅射之前，所述方法还包括如下步骤：对溅射室进行抽真空至本底真空低于10‑4Pa后，通入氩气至所述溅射室的压强为0.1Pa~10Pa；所述方法还包括将所述氩气电离成氩等离子体的步骤；所述方法还包括在所述铜基底上施加负偏压的步骤；所述负偏压为‑200V ~‑50V；所述磁控溅射的时间为5~60min；2）利用磁控溅射的方法溅射铌原子和锡原子，在所述隔离层上得到铌三锡前驱体；所述磁控溅射的时间为1~10小时；3）所述铌三锡前驱体经退火即得所述铜基铌三锡薄膜；所述退火的温度为500℃~1000℃，时间为10小时~10天。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610825848.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
