[发明专利]一种多晶硅二次加料装置及方法在审
| 申请号： | 201610825530.9 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107815735A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 赵向阳;陈强;肖祥凯 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅二次加料装置及方法，多晶硅二次加料装置包括石英管、石英半球及石英柱，所述石英管为上下开口的圆管；所述石英半球位于所述石英管下方，所述石英半球的直径大于所述石英管直径；所述石英柱位于所述石英管内部，所述石英柱下端与所述石英半球连接。多晶硅二次加料方法的步骤如下多次向多晶硅二次加料装置中加入粒度较小的多晶硅或粒度较大的多晶硅与粒度较小的多晶硅组成的料；多次打开石英半球，每次放入一部分料。本发明通过把多晶硅二次加料装置下部设置石英半球，将钼丝置换成石英柱，防止石英半球破碎及钼丝对多晶硅料的污染。本发明采用梯度混合加料方法，减小多晶硅之间的间隙大小及数目，增大二次加料量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 二次 加料 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅二次加料装置，其特征在于，所述多晶硅二次加料装置包括石英管、石英半球及石英柱，其中：所述石英管为上下开口的圆管；所述石英半球位于所述石英管下方，所述石英半球的直径大于所述石英管直径；所述石英柱位于所述石英管内部，所述石英柱下端与所述石英半球连接。
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