[发明专利]AMOLED驱动电路结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201610823018.0 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN106205492B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 韩佰祥 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/3225 | 分类号： | G09G3/3225 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种AMOLED驱动电路结构及其制作方法，通过增大栅极保护层在寄生电容区的厚度，来减少AMOLED驱动电路中的寄生电容，包括AMOLED驱动电路中的薄膜晶体管的寄生电容及布线寄生电容，进而减少寄生电容对AMOLED驱动电路性能的影响，尤其是对带补偿功能的AMOLED驱动电路的补偿功能的影响，提升AMOLED显示器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | amoled 驱动 电路 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种AMOLED驱动电路结构，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的图案化的第一金属层(2)、覆盖所述第一金属层(2)和基板(1)上的栅极保护层(3)、设于所述栅极保护层(3)上的有源层(4)、覆盖所述有源层(4)和栅极保护层(3)的刻蚀阻挡层(5)、设于所述刻蚀阻挡层(5)上的图案化的第二金属层(6)；所述第一金属层(2)与所述第二金属层(6)在空间上交叠的区域为寄生电容区，所述栅极保护层(3)在寄生电容区内的厚度大于其在所述寄生电容区外的厚度；所述第一金属层(2)包括栅极(21)、以及与所述栅极(21)电性连接的栅极线(22)；所述第二金属层(6)包括源极(61)、漏极(62)、以及与所述源极(61)电性连接的数据线(63)；所述有源层(4)的位置对应所述栅极(21)设置，所述源极(61)与漏极(62)的位置对应所述有源层(4)的两端设置，所述源极(61)与漏极(62)分别通过两贯穿所述刻蚀阻挡层(5)的过孔与所述有源层(4)的两端相接触；所述栅极线(22)与数据线(63)相互垂直交错；所述寄生电容区位于所述源极(61)与栅极(21)在空间上交叠的区域、漏极(62)与栅极(21)在空间上交叠的区域、及栅极线(22)与数据线(63)在空间上的交叠的区域。
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