[发明专利]在发光二极管芯片的量子阱附近制备纳米金属结构的方法有效
| 申请号： | 201610821348.6 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN106449902B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 万巍;陈湛旭 | 申请（专利权）人： | 广东技术师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/22 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510665 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在发光二极管芯片的量子阱附近制备纳米金属结构的方法。该工艺方法主要是先利用纳米球掩膜刻蚀技术，在P‑GaN层刻蚀出相应的纳米凹槽，然后沉积金属和电流隔离层，最后去掉相关的纳米球掩膜，这样金属纳米颗粒和电流隔离层可以填在纳米凹槽内，最后利用常规的工艺制作电极。结果表明，本发明的方法能有效的在LED芯片的量子阱附近制备金属纳米结构，为研究表面等离子体LED提供一种有效而简便的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 量子 附近 制备 纳米 金属结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在发光二极管芯片的量子阱附近制备纳米金属结构的方法，其特征在于：主要是先利用纳米球掩膜刻蚀技术，在P‑GaN层刻蚀出相应的纳米凹槽，然后沉积金属和电流隔离层，最后去掉相关的纳米球掩膜，这样金属纳米颗粒和电流隔离层填在纳米凹槽内，最后利用常规的工艺制作电极；具体包括以下步骤：a、在平面结构LED芯片的P‑GaN层制备单层密排的纳米球作为掩膜；b、在去掉纳米球掩膜前，利用电子束蒸发或者是磁控溅射进行沉积金属，沉积厚度为10‑20nm，然后再利用电子束蒸发或者是磁控溅射进行沉积电流隔离层，沉积厚度为10‑20nm；c、去掉纳米球掩膜，最终在p‑GaN层获得周期性的纳米柱阵列结构，并且纳米柱的间隙有金属纳米颗粒和电流隔离层颗粒结构；d、进行常规的厚金电极工艺处理，最终获得具有表面等离子体增强效应的LED成品。
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