[发明专利]硅树脂薄膜、可固化硅树脂组成物、光学半导体装置及其封装方法

摘要

本发明提供一种硅树脂薄膜、可固化硅树脂组成物、光学半导体装置及其封装方法，硅树脂薄膜包含离形基材以及硅树脂涂层，其由涂布可固化硅树脂组成物于该离形基材经固化而成，其中该可固化硅树脂组成物包含10至25重量份的线性聚硅氧烷；40至55重量份的第一硅树脂，其中用于表示第一硅树脂的平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R22SiO2/2单体，且该R1SiO3/2单体于平均单元结构式中所占的摩尔分率为0.60至0.75；15至30重量份的第二硅树脂；15至25重量份的含硅氢键的聚硅氧烷；铂族金属催化剂以及萤光粉。本发明的硅树脂薄膜具有优异的热软化特性及良好的硬度特性。

主权项

一种硅树脂薄膜，其特征在于，该硅树脂薄膜包含：离形基材；以及硅树脂涂层，其经由涂布可固化硅树脂组成物于该离形基材上经固化而成，其中，该可固化硅树脂组成物包含：10至25重量份的线性聚硅氧烷，其平均单元结构式至少具有一个与硅原子键结的芳基与二个与硅原子键结的烯基；40至55重量份的第一硅树脂，其平均单元结构式至少具有R1SiO3/2单体以及R22SiO2/2单体，其中R1及R2为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基，于该第一硅树脂的平均单元结构式中，该R1SiO3/2单体所占的摩尔分率为0.60至0.75，且硅原子键结的烯基相对于所有与硅原子键结的官能基的摩尔数比值为0.03至0.15；15至30重量份的第二硅树脂，其平均单元结构式至少具有R3SiO3/2以及R43SiO1/2的单体，其中R3及R4为经取代的或未取代的烷基、经取代的或未取代的烯基或经取代的或未取代的芳基；15至25重量份的含硅氢键的聚硅氧烷，其化学结构式为：HR52SiO(SiR62O)nSiR52H，其中，R5为经取代的或未取代的烷基或氢原子，R6为经取代或未取代的芳基或经取代的或未取代的烷基，n为大于等于0的整数；铂族金属催化剂；以及萤光粉。