[发明专利]一种晶体硅及其制备方法有效
| 申请号： | 201610817233.X | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN106222742B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘海;罗鸿志;胡动力;何亮 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B11/04;C30B15/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到铸锭炉或单晶炉的坩埚内，掺杂剂为含有掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种；掺杂元素包括硼、镓和锑；多晶硅料中，镓、锑和硼三种元素的原子浓度比为1:(0.15‑0.3):(0.005‑0.1)；在保护气体存在下，加热使多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节晶体硅生长参数，使硅熔体开始长晶，待坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到晶体硅。本发明提供的晶体硅的制备方法，解决了晶体硅的电阻率分布较宽的问题，提高了晶体硅的收率；方便了头尾料的回收，降低了晶体硅的应用成本。本发明还提供了一种晶体硅，该晶体硅电阻率分布集中，利用该晶体硅制成的太阳能电池片的光衰大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅的制备方法，其特征在于，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到铸锭炉或单晶炉的坩埚内，所述掺杂剂为含有掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种；所述掺杂元素包括硼、镓和锑；所述多晶硅料中，所述镓元素的初始原子浓度为1ppma‑100ppma，所述镓、所述锑和所述硼三种元素的原子浓度比为1:(0.15‑0.3):(0.005‑0.1)；在保护气体存在下，加热使所述多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节晶体硅生长参数，使所述硅熔体开始长晶，待所述坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到晶体硅。
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